得益于野生智能高潮的延续鞭策，高带宽内存(HBM)最近几年成长迅猛，迭代加快，已成为最世态炎凉的DRAM手艺之一。此前，SK海力士就因向英伟达大批供给HBM3与HBM3E，一度在DRAM市场抢先三星。
近期有动静称，三星正在开辟一种怪异的封装打算，旨在让智妙手机、平板电脑等挪动设备也能搭载HBM芯片，从而打造高机能的AI终端产物。
传统挪动DRAM多接纳铜线键合手艺，其I/O引脚数目凡是限于128至256个，虽有利于能效晋升与发烧节制，但也带来了较高的信号消耗。为此，三星打算引入超高长宽比铜柱，并连系扇出型晶圆级封装(FOWLP)，以加强耐热性并晋升延续任务负载下的机能表现。
经由过程三星在垂直铜柱仓库(VCS)方面的立异，DRAM芯片可以也许以“门路”情势重叠，从而赞助HBM在挪动设备的无限空间内冲破尺寸限定、阐扬机能潜力。据领会，三星已将垂直铜柱的长宽比从现有的3-5:1大幅晋升至15:1–20:1，但这也致使铜柱直径响应减小。若直径低于10微米，铜柱能够呈现曲折乃至断裂的题目，此时扇出型晶圆级封装手艺便可阐扬感化——其经由过程向外延长铜线来强化布局完全性，同时还能增添I/O引脚数目，完成约30%的带宽晋升。
今朝三星还没有颁布发表这项手艺的详细利用时候。从产物线路猜测，它能够会被集成到将来的Exynos 2800或Exynos 2900处置器中。还有传说风闻称苹果也在斟酌为iPhone引入HBM，可是否接纳三星的该项手艺还没有肯定。斟酌到以后DRAM市场的价钱动摇，此类打算的可行性也许要待行情不变后能力进一步会商。
